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ES1G特快恢复二极管1A400V佑风微电子yfw特价
ES1G特快恢复二极管1A400V佑风微电子
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安...
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2026-09-21 |
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US1G超快恢复二极管1A400V佑风微电子yfw特价
US1G超快恢复二极管1A400V 通常用于较高频率的整流和续流的产品。
用于电源模块的输入部份，频率不高，不必用快恢复二极管，用普通二极管即可。
相对二极管来说，加在其两端的电压由正向变到反向时，响应时间一般很短，而相反的由反向变正向时其时间相对较长，
此即为反向恢复时间，当...
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2026-09-21 |
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ES1D特快恢复二极管1A200V佑风微电子yfw特价
反向恢复时间
测量电路由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式：
trr≈2Qrr/IRM (5.3.1) ...
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2026-09-21 |
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ES2D特快恢复二极管2A200V佑风微电子yfw特价
ES2D特快恢复二极管2A200V佑风微电子快恢复二极管（简称FRD）整流电路由于频率很低，故只对耐压有要求，只要耐压能满足，肯定是可以代用的，且快恢复二极管也有用于整流的情况，就是在开关电源次级整流部份，由于频率较高，只能使用快恢复二极管整流，否则由于二极管损耗太大会造成电源整体效率降低，严重时会烧毁二极管。另外快恢复二极管的价格较整流二极管贵很多，...
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2026-07-21 |
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ES3D特快恢复二极管3A200V佑风微电子yfw特价
硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高一般在几十KHz以下。ES3D是特快恢复二极管3A200V的特快恢复二极管。...
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2026-07-11 |
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