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MS32磁阻开关   活塞位置开关

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MS32磁阻传感器的内部结构为一个惠斯通电桥，由四个具有各向异性磁阻效应的坡莫合金电阻组成。沿着Y轴平行于芯片表面（X-Y平面）的单向磁场将产生一个输出信号。磁场开关点一般设置为Hs=1.85kA/m（几乎不受温度影响）。此外，在较大磁场范围内的特性曲线是线性的。因此，MS32对不同机械环境和磁场环境的适应性非常强。传感器采用了流行的TDFN封装。

特点:

传感器基于固态磁阻效应

单极信号输出

线性磁场响应

高灵敏度，低磁滞

温度补偿开关点

高桥路阻抗，低功耗

供电电压<30V

小型TDFN封装（mm）：2.5x2.5x0.8

量程：1~3kA/m磁场开关

比率输出，10mV/V

分辨率：0.1kA/m（典型值）

精度：0.1kA/m（典型值）

工作温度：-25℃~85℃

典型应用: 工业/消费品/汽车领域非接触位置检测，小冲程气缸，笔记本和手机翻盖位置，门/窗开关